La Commissione europea ha autorizzato questa mattina il finanziamento per il nuovo impianto manifatturiero di carburo di silicio a Catania nel sito della STMicroelectronics: si tratta del primo impianto al mondo completamente integrato per il carburo di silicio. È previsto un programma di investimento pluriennale di 5 miliardi di euro, che comprende il supporto per due miliardi di euro da parte dello Stato italiano nel quadro dell’Eu Chips Act.
Il nuovo impianto produrrà carburo di silicio (Sic) da 200 mm in grandi volumi per dispositivi e moduli di potenza, nonché per attività di test e packaging. Il Silicon Carbide Campus di Catania, spiega Stm, è “la realizzazione del piano di St per una completa integrazione verticale delle capacità nel SiC, dalla ricerca e sviluppo alla produzione, dal substrato al modulo, in un unico sito, e consentirà ai clienti dei settori automotive e industriale di passare all’elettrificazione e a una maggiore efficienza energetica. L’annuncio della Commissione europea arriva nel giorno in cui la Commissaria europea alla Concorrenza, Margrethe Vestager, è in visita con il ministro delle Imprese, Adolfo Urso, al sito di St nel capoluogo etneo”.
“Le capacità completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in misura significativa alla leadership di ST nella tecnologia SiC per clienti dei settori automotive e industriale nei prossimi decenni,” ha detto Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics. “Le dimensioni di scala e le sinergie offerte da questo progetto – ha aggiunto – ci consentiranno di attuare una migliore innovazione con capacità produttive in grandi volumi, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali che nel compiere la transizione verso l’elettrificazione sono alla ricerca di soluzioni più efficienti sotto il profilo energetico per centrare gli obiettivi di decarbonizzazione.”
Il Silicon Carbide Campus sarà il polo centrale per l’ecosistema SiC globale di ST e integrerà tutte le fasi del flusso di produzione: sviluppo di substrati in SiC, processi di crescita epitassiale, fabbricazione front-end di fette da 200 mm e assemblaggio back-end dei moduli, ma anche ricerca e sviluppo di processi, progettazione di prodotti, laboratori avanzati di ricerca e sviluppo per i die, sistemi e moduli di potenza e capacità complete di packaging. Il centro di Catania sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in grandi volumi di fette in SiC da 200 mm con tutti i passaggi del processo – substrato, epitassia e front-end, e back-end – condotti con l’utilizzo di tecnologie a 200 mm per raggiungere rese e prestazioni superiori.
